檢索結果：共13筆資料 檢索策略： "摻雜".ckeyword (精準) and year="106"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
石墨烯具有高電子遷移率, 高導電性及高穿透性等優越的特性. 石墨烯會吸附大氣中的氧原子與水氣表現出 p-type 的特性. 透過氮電漿摻雜以及電化學摻雜可以對石墨烯進行 n-type 的摻雜. 藉由…
2
近幾年來，薄膜電晶體技術(TFT)發展地非常迅速，它被廣泛的應用在積體電路和顯示器設備上。傳統上薄膜電晶體大多使用非晶矽材料，但銦鎵鋅氧化物在近年來也逐漸被關注，它擁有更快的載子遷移率，能夠更有…
3
本研究分成四部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG)，以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
4
異質元素的奈米碳材摻雜可以改變許多例如光學、物理、化學及結構等特性。改善後的特性能更廣泛的應用在不同領域，像是電子元件、能量儲存或生物醫療等方面。此篇論文沿用本研究室先前發展出有效的方法，在大氣常壓…
5
此研究主要為三部分，第一部分是透過化學氣相沉積方式且利用加熱帶加熱聚二甲基矽烷之前驅物生長出矽摻雜石墨烯，與純石墨烯作為比較，探討其性質。石墨烯以Raman光譜、UV-vis光譜以及XPS進行分析。…
6
本論文使用化學氣相傳導法分別長出1T與2H結構之二硫化鉭(TaS2)和成長二硫化錸摻雜鉭Re1-XTaXS2 (X = 0, 0.01, 0.05)系列之高品質單晶，由X射線光電子能譜儀(XPS)確…
7
本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…
8
氫能時代的來臨，將對照驗證質子交換薄膜燃料電池(PEMFC)技術的發展成熟度，目前PEMFC電極觸媒主要是以碳當作載體，利用碳載體的高導電性與高比表面積以使Pt可以均勻分散，但在操作過程發生的碳腐蝕…
9
類鑽碳膜（Diamond-like carbon, DLC）具有高硬度、高絕緣性、高生物相容性、高化學惰性和導熱性等優點。本研究中，使用ECR電漿與RF電漿組成之混成式電漿化學氣相沉積系統( Hyb…
10
本論文以實驗室自行壓製陶金靶材，採用RF反應式濺鍍法及利用氮氣混入濺鍍氣體進行製備n型的CuSnSO薄膜與p型的CuSnSNO薄膜，並探討靶材中不同SnS含量比例、沉積溫度及氮元素的摻雜對於薄膜品質…